სპეციფიკაციები

• სერია
  C3M™
• პაკეტი
  Tube
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• ფეხის ტიპი
  N-Channel
• ტექნოლოგია
  SiCFET (Silicon Carbide)
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  1200 V
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  7.2A (Tc)
• წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
  15V
• rds on (max) @ id, vgs
  455mOhm @ 3.6A, 15V
• vgs(th) (max) @ id
  3.6V @ 1mA
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  13 nC @ 15 V
• vgs (მაქს.)
  +15V, -4V
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  345 pF @ 1000 V
• ფეხის ფუნქცია
  -
• დენის გაფრქვევა (მაქს.)
  40.8W (Tc)
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  TO-263-7
• პაკეტი / ქეისი
  TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA