SQS405ENW-T1_GE3

SQS405ENW-T1_GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8

სპეციფიკაციები

  • სერია
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    P-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    12 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    16A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    2.5V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs
    20mOhm @ 13.5A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id
    1V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    75 nC @ 8 V
  • vgs (მაქს.)
    ±8V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    2650 pF @ 6 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    39W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PowerPAK® 1212-8
  • პაკეტი / ქეისი
    PowerPAK® 1212-8

SQS405ENW-T1_GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 21742
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
0.96000
სამიზნე ფასი:
სულ:0.96000

Მონაცემთა ფურცელი