SQJ570EP-T1_GE3

SQJ570EP-T1_GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - მასივები

აღწერა

MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8

სპეციფიკაციები

  • სერია
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N and P-Channel
  • ფეხის ფუნქცია
    Standard
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    100V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    15A (Tc), 9.5A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs
    45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.5V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    20nC @ 10V, 15nC @ 10V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    650pF @ 25V, 600pF @ 25V
  • სიმძლავრე - მაქს
    27W
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PowerPAK® SO-8 Dual

SQJ570EP-T1_GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 19997
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.05000
სამიზნე ფასი:
სულ:1.05000

Მონაცემთა ფურცელი