SQ4949EY-T1_GE3

SQ4949EY-T1_GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - მასივები

აღწერა

MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC

სპეციფიკაციები

  • სერია
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    2 P-Channel (Dual)
  • ფეხის ფუნქცია
    Standard
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    30V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    7.5A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs
    35mOhm @ 5.9A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.5V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    30nC @ 10V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    1020pF @ 25V
  • სიმძლავრე - მაქს
    3.3W
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    8-SOIC

SQ4949EY-T1_GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 12511
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.72000
სამიზნე ფასი:
სულ:1.72000

Მონაცემთა ფურცელი