SIZF906DT-T1-GE3

SIZF906DT-T1-GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - მასივები

აღწერა

MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR

სპეციფიკაციები

  • სერია
    TrenchFET® Gen IV
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • ფეხის ფუნქცია
    Standard
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    30V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    60A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs
    3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.2V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
  • სიმძლავრე - მაქს
    38W (Tc), 83W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TA)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    8-PowerWDFN
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    8-PowerPair® (6x5)

SIZF906DT-T1-GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 12302
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.75000
სამიზნე ფასი:
სულ:1.75000

Მონაცემთა ფურცელი