SIZF906BDT-T1-GE3

SIZF906BDT-T1-GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - მასივები

აღწერა

DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

სპეციფიკაციები

  • სერია
    TrenchFET® Gen IV
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    2 N-Channel (Dual), Schottky
  • ფეხის ფუნქცია
    Standard
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    30V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs
    2.1mOhm @ 15A, 10V, 680µOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.2V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    49nC @ 10V, 165nC @ 10V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
  • სიმძლავრე - მაქს
    4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    8-PowerWDFN
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    8-PowerPair® (6x5)

SIZF906BDT-T1-GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 12558
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.73000
სამიზნე ფასი:
სულ:1.73000