SISF20DN-T1-GE3

SISF20DN-T1-GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - მასივები

აღწერა

MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD

სპეციფიკაციები

  • სერია
    TrenchFET® Gen IV
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    2 N-Channel (Dual)
  • ფეხის ფუნქცია
    Standard
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    60V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    14A (Ta), 52A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs
    13mOhm @ 7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    33nC @ 10V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    1290pF @ 30V
  • სიმძლავრე - მაქს
    5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    PowerPAK® 1212-8SCD
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PowerPAK® 1212-8SCD

SISF20DN-T1-GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 12967
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.67000
სამიზნე ფასი:
სულ:1.67000