SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

სპეციფიკაციები

  • სერია
    TrenchFET®
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    40 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    50A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    2.8mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.5V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    117 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±20V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    4750 pF @ 20 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    5.4W (Ta), 83W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PowerPAK® SO-8
  • პაკეტი / ქეისი
    PowerPAK® SO-8

SIR414DP-T1-GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 12632
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.70000
სამიზნე ფასი:
სულ:1.70000

Მონაცემთა ფურცელი