SI7252ADP-T1-GE3

SI7252ADP-T1-GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - მასივები

აღწერა

DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE

სპეციფიკაციები

  • სერია
    TrenchFET®
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    2 N-Channel (Dual)
  • ფეხის ფუნქცია
    Standard
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    100V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    9.3A (Ta), 28.7A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs
    18.6mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    26.5nC @ 10V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    1266pF @ 50V
  • სიმძლავრე - მაქს
    3.6W (Ta), 33.8W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PowerPAK® SO-8 Dual

SI7252ADP-T1-GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 12570
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.72000
სამიზნე ფასი:
სულ:1.72000