SI7113ADN-T1-GE3

SI7113ADN-T1-GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK

სპეციფიკაციები

  • სერია
    TrenchFET®
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    P-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    100 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    10.8A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    132mOhm @ 3.8A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.6V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    16.5 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±20V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    515 pF @ 50 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    27.8W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PowerPAK® 1212-8
  • პაკეტი / ქეისი
    PowerPAK® 1212-8

SI7113ADN-T1-GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 29407
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
0.70000
სამიზნე ფასი:
სულ:0.70000

Მონაცემთა ფურცელი