SI6562CDQ-T1-GE3

SI6562CDQ-T1-GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - მასივები

აღწერა

MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP

სპეციფიკაციები

  • სერია
    TrenchFET®
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N and P-Channel
  • ფეხის ფუნქცია
    Logic Level Gate
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    20V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    6.7A, 6.1A
  • rds on (max) @ id, vgs
    22mOhm @ 5.7A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id
    1.5V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    23nC @ 10V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    850pF @ 10V
  • სიმძლავრე - მაქს
    1.6W, 1.7W
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    8-TSSOP

SI6562CDQ-T1-GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 19571
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.07000
სამიზნე ფასი:
სულ:1.07000

Მონაცემთა ფურცელი