SI5513CDC-T1-GE3

SI5513CDC-T1-GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - მასივები

აღწერა

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

სპეციფიკაციები

  • სერია
    TrenchFET®
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N and P-Channel
  • ფეხის ფუნქცია
    Logic Level Gate
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    20V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    4A, 3.7A
  • rds on (max) @ id, vgs
    55mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id
    1.5V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    4.2nC @ 5V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    285pF @ 10V
  • სიმძლავრე - მაქს
    3.1W
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    8-SMD, Flat Lead
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    1206-8 ChipFET™

SI5513CDC-T1-GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 31608
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
0.65000
სამიზნე ფასი:
სულ:0.65000

Მონაცემთა ფურცელი