SI3477DV-T1-GE3

SI3477DV-T1-GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP

სპეციფიკაციები

  • სერია
    TrenchFET®
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    P-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    12 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    8A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    1.8V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs
    17.5mOhm @ 9A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id
    1V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    90 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±10V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    2600 pF @ 6 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    2W (Ta), 4.2W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    6-TSOP
  • პაკეტი / ქეისი
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

SI3477DV-T1-GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 26472
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
0.78000
სამიზნე ფასი:
სულ:0.78000

Მონაცემთა ფურცელი