VS-C04ET07T-M3

VS-C04ET07T-M3

მწარმოებელი

Vishay General Semiconductor – Diodes Division

პროდუქტის კატეგორია

დიოდები - rf

აღწერა

SILICON CARBIDE DIODE - TO-220

RFQ ელფოსტა: [email protected] or იკითხავს ონლაინ

სპეციფიკაციები

  • სერია
    -
  • პაკეტი
    Tube
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • დიოდის ტიპი
    Schottky - Single
  • ძაბვა - პიკი საპირისპირო (მაქს)
    650V
  • მიმდინარე - მაქს
    4 A
  • ტევადობა @ vr, f
    170pF @ 1V, 1MHz
  • წინააღმდეგობა @ თუ, ვ
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    40 W
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-220-2
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    TO-220AC

VS-C04ET07T-M3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 14750
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
2.16000
სამიზნე ფასი:
სულ:2.16000

ჯვარედინი ცნობები