TPH5200FNH,L1Q

TPH5200FNH,L1Q

მწარმოებელი

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP

სპეციფიკაციები

  • სერია
    U-MOSVIII-H
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    250 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    26A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    52mOhm @ 13A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 1mA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    22 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±20V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    2200 pF @ 100 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    78W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    8-SOP Advance (5x5)
  • პაკეტი / ქეისი
    8-PowerVDFN

TPH5200FNH,L1Q მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 11720
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
2.78000
სამიზნე ფასი:
სულ:2.78000

Მონაცემთა ფურცელი