სპეციფიკაციები

• სერია
  NexFET™
• პაკეტი
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• ფეხის ტიპი
  N-Channel
• ტექნოლოგია
  MOSFET (Metal Oxide)
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  25 V
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  31A (Ta), 100A (Tc)
• წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
  4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs
  2.4mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  1.9V @ 250µA
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  18 nC @ 4.5 V
• vgs (მაქს.)
  +16V, -12V
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  2660 pF @ 12.5 V
• ფეხის ფუნქცია
  -
• დენის გაფრქვევა (მაქს.)
  3.1W (Ta)
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  8-VSONP (5x6)
• პაკეტი / ქეისი
  8-PowerTDFN