სპეციფიკაციები

• სერია
  OMNIFET II™, VIPower™
• პაკეტი
  Tube
• ნაწილის სტატუსი
  Obsolete
• გამომავალი კონფიგურაცია
  Half Bridge (2)
• აპლიკაციები
  DC Motors, General Purpose, Relays
• ინტერფეისი
  Logic
• დატვირთვის ტიპი
  Inductive, Capacitive, Resistive
• ტექნოლოგია
  Power MOSFET
• rds ჩართულია (typ)
  160mOhm
• მიმდინარე - გამომავალი / არხი
  8.5A
• მიმდინარე - პიკური გამომავალი
  -
• ძაბვა - მიწოდება
  4.5V ~ 36V
• ძაბვა - დატვირთვა
  41V (Max)
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• მახასიათებლები
  -
• ხარვეზების დაცვა
  Current Limiting, ESD, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• პაკეტი / ქეისი
  28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  28-SO