STW8N120K5

STW8N120K5

მწარმოებელი

STMicroelectronics

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 1200V 6A TO247

სპეციფიკაციები

  • სერია
    MDmesh™ K5
  • პაკეტი
    Tube
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    1200 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    6A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    2Ohm @ 2.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    5V @ 100µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    13.7 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    -
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    505 pF @ 100 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    130W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Through Hole
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    TO-247
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-247-3

STW8N120K5 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 7885
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
7.14000
სამიზნე ფასი:
სულ:7.14000

Მონაცემთა ფურცელი