სპეციფიკაციები

• სერია
  SiT8209
• პაკეტი
  Strip
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• ბაზის რეზონატორი
  MEMS
• ტიპი
  XO (Standard)
• სიხშირე
  125 MHz
• ფუნქცია
  Enable/Disable
• გამომავალი
  LVCMOS, LVTTL
• ძაბვა - მიწოდება
  2.8V
• სიხშირის სტაბილურობა
  ±25ppm
• მოზიდვის აბსოლუტური დიაპაზონი (აპრილი)
  -
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -20°C ~ 70°C
• გავრცელებული სპექტრის გამტარუნარიანობა
  -
• მიმდინარე - მიწოდება (მაქს.)
  36mA
• რეიტინგები
  -
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• პაკეტი / ქეისი
  4-SMD, No Lead
• ზომა / განზომილება
  0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
• სიმაღლე - მჯდომარე (მაქს.)
  0.031" (0.80mm)