სპეციფიკაციები

• სერია
  -
• პაკეტი
  Tray
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• ფეხის ტიპი
  2 N-Channel (Half Bridge)
• ფეხის ფუნქცია
  Silicon Carbide (SiC)
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  1200V (1.2kV)
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  300A (Tc)
• rds on (max) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 68mA
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  -
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  35000pF @ 10V
• სიმძლავრე - მაქს
  1875W
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Chassis Mount
• პაკეტი / ქეისი
  Module
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  Module