სპეციფიკაციები

• სერია
  -
• პაკეტი
  Bulk
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• ფეხის ტიპი
  P-Channel
• ტექნოლოგია
  MOSFET (Metal Oxide)
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  15 V
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  1.27A (Ta)
• წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
  2.7V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs
  180mOhm @ 1.5A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  1.5V @ 250µA
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  5.45 nC @ 10 V
• vgs (მაქს.)
  +2V, -15V
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  -
• ფეხის ფუნქცია
  -
• დენის გაფრქვევა (მაქს.)
  504mW (Ta)
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  8-TSSOP
• პაკეტი / ქეისი
  8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)