სპეციფიკაციები

• სერია
  -
• პაკეტი
  Bulk
• ნაწილის სტატუსი
  Obsolete
• ფეხის ტიპი
  N-Channel
• ტექნოლოგია
  MOSFET (Metal Oxide)
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  30 V
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  14A (Ta)
• წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
  -
• rds on (max) @ id, vgs
  11.6mOhm @ 7A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  -
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  5.7 nC @ 4.5 V
• vgs (მაქს.)
  -
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  1.05 pF @ 10 V
• ფეხის ფუნქცია
  -
• დენის გაფრქვევა (მაქს.)
  10W (Tc)
• ოპერაციული ტემპერატურა
  150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  8-HWSON (3.3x3.3)
• პაკეტი / ქეისი
  8-PowerWDFN