სპეციფიკაციები

• სერია
  TrenchMOS™
• პაკეტი
  Bulk
• ნაწილის სტატუსი
  Not For New Designs
• ფეხის ტიპი
  N-Channel
• ტექნოლოგია
  MOSFET (Metal Oxide)
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  20 V
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  6.3A (Tc)
• წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
  1.8V, 4.5V
• rds on (max) @ id, vgs
  28mOhm @ 2A, 4.5V
• vgs(th) (max) @ id
  700mV @ 1mA
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  10.6 nC @ 4.5 V
• vgs (მაქს.)
  ±8V
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  740 pF @ 10 V
• ფეხის ფუნქცია
  -
• დენის გაფრქვევა (მაქს.)
  1.75W (Tc)
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  6-TSOP
• პაკეტი / ქეისი
  SC-74, SOT-457