სპეციფიკაციები

• სერია
  TrenchMOS™
• პაკეტი
  Bulk
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• ფეხის ტიპი
  N-Channel
• ტექნოლოგია
  MOSFET (Metal Oxide)
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  55 V
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  4.9A (Ta), 10.7A (Tc)
• წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
  -
• rds on (max) @ id, vgs
  40mOhm @ 5A, 5V
• vgs(th) (max) @ id
  2V @ 1mA
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  17 nC @ 5 V
• vgs (მაქს.)
  ±13V
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  1400 pF @ 25 V
• ფეხის ფუნქცია
  -
• დენის გაფრქვევა (მაქს.)
  1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  SC-73
• პაკეტი / ქეისი
  TO-261-4, TO-261AA