NGB8206NT4G

NGB8206NT4G

მწარმოებელი

Rochester Electronics

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - igbts - ერთჯერადი

აღწერა

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

სპეციფიკაციები

  • სერია
    *
  • პაკეტი
    Bulk
  • ნაწილის სტატუსი
    Obsolete
  • igbt ტიპის
    -
  • ძაბვა - კოლექტორის ემიტერის ავარია (მაქს)
    390 V
  • დენი - კოლექტორი (ic) (მაქს)
    20 A
  • მიმდინარე - პულსირებული კოლექტორი (ICM)
    -
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    1.9V @ 4.5V, 20A
  • სიმძლავრე - მაქს
    150 W
  • გადართვის ენერგია
    -
  • შეყვანის ტიპი
    Logic
  • კარიბჭის მუხტი
    -
  • td (ჩართვა/გამორთვა) @ 25°c
    -
  • ტესტის მდგომარეობა
    -
  • საპირისპირო აღდგენის დრო (trr)
    -
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    D2PAK

NGB8206NT4G მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 19250
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.09000
სამიზნე ფასი:
სულ:1.09000

Მონაცემთა ფურცელი