IRFW630BTM-FP001

IRFW630BTM-FP001

მწარმოებელი

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

სპეციფიკაციები

  • სერია
    -
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)
  • ნაწილის სტატუსი
    Not For New Designs
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    200 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    9A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    400mOhm @ 4.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    29 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±30V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    720 pF @ 25 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    3.13W (Ta), 72W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    D²PAK (TO-263AB)
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFW630BTM-FP001 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 33658
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
0.60903
სამიზნე ფასი:
სულ:0.60903

Მონაცემთა ფურცელი