IPD088N04LGBTMA1

IPD088N04LGBTMA1

მწარმოებელი

Rochester Electronics

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3

სპეციფიკაციები

  • სერია
    OptiMOS™
  • პაკეტი
    Bulk
  • ნაწილის სტატუსი
    Obsolete
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    40 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    50A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    8.8mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2V @ 16µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    28 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±20V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    2.1 pF @ 20 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    47W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PG-TO252-3
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD088N04LGBTMA1 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 42611
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
0.24000
სამიზნე ფასი:
სულ:0.24000

Მონაცემთა ფურცელი