სპეციფიკაციები

• სერია
  CoolSiC™+
• პაკეტი
  Bulk
• ნაწილის სტატუსი
  Obsolete
• დიოდის ტიპი
  Silicon Carbide Schottky
• ძაბვა - dc საპირისპირო (vr) (მაქს)
  600 V
• მიმდინარე - საშუალო გასწორებული (io)
  5A (DC)
• ძაბვა - წინ (vf) (max) @ თუ
  2.3 V @ 5 A
• სიჩქარე
  No Recovery Time > 500mA (Io)
• საპირისპირო აღდგენის დრო (trr)
  0 ns
• მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ vr
  30 µA @ 600 V
• ტევადობა @ vr, f
  110pF @ 1V, 1MHz
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• პაკეტი / ქეისი
  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  PG-TO252-3
• სამუშაო ტემპერატურა - შეერთება
  -55°C ~ 175°C