NVTFS6H850NTAG

NVTFS6H850NTAG

მწარმოებელი

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN

სპეციფიკაციები

  • სერია
    Automotive, AEC-Q101
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    80 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    11A (Ta), 68A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    9.5mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 70µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    19 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±20V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    1140 pF @ 40 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    3.2W (Ta), 107W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    8-WDFN (3.3x3.3)
  • პაკეტი / ქეისი
    8-PowerWDFN

NVTFS6H850NTAG მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 20421
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.02000
სამიზნე ფასი:
სულ:1.02000

Მონაცემთა ფურცელი