სპეციფიკაციები

• სერია
  -
• პაკეტი
  Tube
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• ფეხის ტიპი
  N-Channel
• ტექნოლოგია
  SiCFET (Silicon Carbide)
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  700 V
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  25A (Tc)
• წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
  -
• rds on (max) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (max) @ id
  -
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  -
• vgs (მაქს.)
  -
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  -
• ფეხის ფუნქცია
  -
• დენის გაფრქვევა (მაქს.)
  -
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  D3Pak
• პაკეტი / ქეისი
  TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA