სპეციფიკაციები

• სერია
  BIMOSFET™
• პაკეტი
  Tube
• ნაწილის სტატუსი
  Not For New Designs
• igbt ტიპის
  -
• ძაბვა - კოლექტორის ემიტერის ავარია (მაქს)
  3600 V
• დენი - კოლექტორი (ic) (მაქს)
  70 A
• მიმდინარე - პულსირებული კოლექტორი (ICM)
  220 A
• vce(on) (max) @ vge, ic
  3.4V @ 15V, 20A
• სიმძლავრე - მაქს
  430 W
• გადართვის ენერგია
  15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
• შეყვანის ტიპი
  Standard
• კარიბჭის მუხტი
  110 nC
• td (ჩართვა/გამორთვა) @ 25°c
  18ns/238ns
• ტესტის მდგომარეობა
  1500V, 20A, 10Ohm, 15V
• საპირისპირო აღდგენის დრო (trr)
  1.7 µs
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• პაკეტი / ქეისი
  TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  TO-268