სპეციფიკაციები

• სერია
  BIMOSFET™
• პაკეტი
  Tube
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• igbt ტიპის
  -
• ძაბვა - კოლექტორის ემიტერის ავარია (მაქს)
  3000 V
• დენი - კოლექტორი (ic) (მაქს)
  34 A
• მიმდინარე - პულსირებული კოლექტორი (ICM)
  88 A
• vce(on) (max) @ vge, ic
  2.8V @ 15V, 10A
• სიმძლავრე - მაქს
  180 W
• გადართვის ენერგია
  -
• შეყვანის ტიპი
  Standard
• კარიბჭის მუხტი
  46 nC
• td (ჩართვა/გამორთვა) @ 25°c
  36ns/100ns
• ტესტის მდგომარეობა
  960V, 10A, 10Ohm, 15V
• საპირისპირო აღდგენის დრო (trr)
  1.6 µs
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• პაკეტი / ქეისი
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  TO-263