სპეციფიკაციები

• სერია
  BIMOSFET™
• პაკეტი
  Tube
• ნაწილის სტატუსი
  Not For New Designs
• igbt ტიპის
  -
• ძაბვა - კოლექტორის ემიტერის ავარია (მაქს)
  3600 V
• დენი - კოლექტორი (ic) (მაქს)
  70 A
• მიმდინარე - პულსირებული კოლექტორი (ICM)
  420 A
• vce(on) (max) @ vge, ic
  2.9V @ 15V, 50A
• სიმძლავრე - მაქს
  290 W
• გადართვის ენერგია
  -
• შეყვანის ტიპი
  Standard
• კარიბჭის მუხტი
  210 nC
• td (ჩართვა/გამორთვა) @ 25°c
  46ns/205ns
• ტესტის მდგომარეობა
  960V, 50A, 5Ohm, 15V
• საპირისპირო აღდგენის დრო (trr)
  1.7 µs
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Through Hole
• პაკეტი / ქეისი
  i4-Pac™-5 (3 Leads)
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  ISOPLUS i4-PAC™