სპეციფიკაციები

• სერია
  BIMOSFET™
• პაკეტი
  Tube
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• igbt ტიპის
  NPT
• ძაბვა - კოლექტორის ემიტერის ავარია (მაქს)
  3000 V
• დენი - კოლექტორი (ic) (მაქს)
  38 A
• მიმდინარე - პულსირებული კოლექტორი (ICM)
  120 A
• vce(on) (max) @ vge, ic
  2.7V @ 15V, 14A
• სიმძლავრე - მაქს
  200 W
• გადართვის ენერგია
  -
• შეყვანის ტიპი
  Standard
• კარიბჭის მუხტი
  62 nC
• td (ჩართვა/გამორთვა) @ 25°c
  40ns/166ns
• ტესტის მდგომარეობა
  960V, 14A, 20Ohm, 15V
• საპირისპირო აღდგენის დრო (trr)
  1.4 µs
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• პაკეტი / ქეისი
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  TO-263