IPP072N10N3GXKSA1

IPP072N10N3GXKSA1

მწარმოებელი

IR (Infineon Technologies)

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3

სპეციფიკაციები

  • სერია
    OptiMOS™
  • პაკეტი
    Tube
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    100 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    80A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    6V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    7.2mOhm @ 80A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.5V @ 90µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    68 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±20V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    4910 pF @ 50 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    150W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Through Hole
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PG-TO220-3
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-220-3

IPP072N10N3GXKSA1 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 11069
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.95000
სამიზნე ფასი:
სულ:1.95000

Მონაცემთა ფურცელი