IPN80R1K2P7ATMA1

IPN80R1K2P7ATMA1

მწარმოებელი

IR (Infineon Technologies)

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223

სპეციფიკაციები

  • სერია
    CoolMOS™ P7
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    800 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    4.5A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    1.2Ohm @ 1.7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.5V @ 80µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    11 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±20V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    300 pF @ 500 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    6.8W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PG-SOT223
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-261-3

IPN80R1K2P7ATMA1 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 19464
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.08000
სამიზნე ფასი:
სულ:1.08000

Მონაცემთა ფურცელი