IPD50R1K4CEAUMA1

IPD50R1K4CEAUMA1

მწარმოებელი

IR (Infineon Technologies)

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3

სპეციფიკაციები

  • სერია
    CoolMOS™ CE
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    500 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    3.1A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    13V
  • rds on (max) @ id, vgs
    1.4Ohm @ 900mA, 13V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.5V @ 70µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    8.2 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±20V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    178 pF @ 100 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    42W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PG-TO252-3
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD50R1K4CEAUMA1 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 37849
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
0.54000
სამიზნე ფასი:
სულ:0.54000

Მონაცემთა ფურცელი