IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1

მწარმოებელი

IR (Infineon Technologies)

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

სპეციფიკაციები

  • სერია
    OptiMOS™
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    80 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    120A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    6V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    2mOhm @ 100A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.8V @ 208µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    166 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    ±20V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    12100 pF @ 40 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    300W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    D²PAK (TO-263AB)
  • პაკეტი / ქეისი
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB020N08N5ATMA1 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 7291
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
4.66000
სამიზნე ფასი:
სულ:4.66000

Მონაცემთა ფურცელი