FS75R12W2T4B11BOMA1

FS75R12W2T4B11BOMA1

მწარმოებელი

IR (Infineon Technologies)

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - igbts - მოდულები

აღწერა

IGBT MOD 1200V 107A 375W

სპეციფიკაციები

  • სერია
    -
  • პაკეტი
    Tray
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • igbt ტიპის
    Trench Field Stop
  • კონფიგურაცია
    Full Bridge
  • ძაბვა - კოლექტორის ემიტერის ავარია (მაქს)
    1200 V
  • დენი - კოლექტორი (ic) (მაქს)
    107 A
  • სიმძლავრე - მაქს
    375 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.15V @ 15V, 75A
  • დენი - კოლექტორის გათიშვა (მაქს.)
    1 mA
  • შეყვანის ტევადობა (cies) @ vce
    4.3 nF @ 25 V
  • შეყვანა
    Standard
  • ntc თერმისტორი
    Yes
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -40°C ~ 150°C
  • სამონტაჟო ტიპი
    Chassis Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    Module
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    Module

FS75R12W2T4B11BOMA1 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 1741
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
63.70000
სამიზნე ფასი:
სულ:63.70000

Მონაცემთა ფურცელი