FF650R17IE4DB2BOSA1

FF650R17IE4DB2BOSA1

მწარმოებელი

IR (Infineon Technologies)

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - igbts - მოდულები

აღწერა

IGBT MODULE 1700V 4150W

სპეციფიკაციები

  • სერია
    -
  • პაკეტი
    Bulk
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • igbt ტიპის
    -
  • კონფიგურაცია
    2 Independent
  • ძაბვა - კოლექტორის ემიტერის ავარია (მაქს)
    1700 V
  • დენი - კოლექტორი (ic) (მაქს)
    -
  • სიმძლავრე - მაქს
    4150 W
  • vce(on) (max) @ vge, ic
    2.45V @ 15V, 650A
  • დენი - კოლექტორის გათიშვა (მაქს.)
    5 mA
  • შეყვანის ტევადობა (cies) @ vce
    54 nF @ 25 V
  • შეყვანა
    Standard
  • ntc თერმისტორი
    Yes
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -40°C ~ 150°C
  • სამონტაჟო ტიპი
    Chassis Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    Module
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    Module

FF650R17IE4DB2BOSA1 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 934
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
763.20333
სამიზნე ფასი:
სულ:763.20333

Მონაცემთა ფურცელი