სპეციფიკაციები

• სერია
  HEXFET®
• პაკეტი
  Tape & Reel (TR)
• ნაწილის სტატუსი
  Obsolete
• ფეხის ტიპი
  N-Channel
• ტექნოლოგია
  MOSFET (Metal Oxide)
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  40 V
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  46A (Ta), 270A (Tc)
• წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
  10V
• rds on (max) @ id, vgs
  1mOhm @ 160A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 250µA
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  330 nC @ 10 V
• vgs (მაქს.)
  ±20V
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  11880 pF @ 25 V
• ფეხის ფუნქცია
  -
• დენის გაფრქვევა (მაქს.)
  3.8W (Ta), 125W (Tc)
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  DIRECTFET L8
• პაკეტი / ქეისი
  DirectFET™ Isometric L8