სპეციფიკაციები

• სერია
  eGaN®
• პაკეტი
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• ფეხის ტიპი
  3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
• ფეხის ფუნქცია
  GaNFET (Gallium Nitride)
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  100V
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  1.7A, 500mA
• rds on (max) @ id, vgs
  320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
• vgs(th) (max) @ id
  2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  16pF @ 50V, 7pF @ 50V
• სიმძლავრე - მაქს
  -
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• პაკეტი / ქეისი
  9-VFBGA
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  9-BGA (1.35x1.35)