სპეციფიკაციები

• სერია
  eGaN®
• პაკეტი
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• ფეხის ტიპი
  2 N-Channel (Half Bridge)
• ფეხის ფუნქცია
  GaNFET (Gallium Nitride)
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  30V
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  10A (Ta), 40A (Ta)
• rds on (max) @ id, vgs
  8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
• vgs(th) (max) @ id
  2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
• სიმძლავრე - მაქს
  -
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Surface Mount
• პაკეტი / ქეისი
  Die
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  Die