სპეციფიკაციები

• სერია
  Z-FET™
• პაკეტი
  Bulk
• ნაწილის სტატუსი
  Active
• ფეხის ტიპი
  2 N-Channel (Half Bridge)
• ფეხის ფუნქცია
  Silicon Carbide (SiC)
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  1200V (1.2kV)
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  423A (Tc)
• rds on (max) @ id, vgs
  5.7mOhm @ 300A, 20V
• vgs(th) (max) @ id
  2.3V @ 15mA (Typ)
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  1025nC @ 20V
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  11700pF @ 600V
• სიმძლავრე - მაქს
  1660W
• ოპერაციული ტემპერატურა
  150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Chassis Mount
• პაკეტი / ქეისი
  Module, Screw Terminals
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  Module