სპეციფიკაციები

• სერია
  C2M™
• პაკეტი
  Tube
• ნაწილის სტატუსი
  Not For New Designs
• ფეხის ტიპი
  N-Channel
• ტექნოლოგია
  SiCFET (Silicon Carbide)
• გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
  1700 V
• მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
  72A (Tc)
• წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
  20V
• rds on (max) @ id, vgs
  59mOhm @ 50A, 20V
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 18mA
• კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
  188 nC @ 20 V
• vgs (მაქს.)
  +25V, -10V
• შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
  3672 pF @ 1000 V
• ფეხის ფუნქცია
  -
• დენის გაფრქვევა (მაქს.)
  520W (Tc)
• ოპერაციული ტემპერატურა
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• სამონტაჟო ტიპი
  Through Hole
• მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
  TO-247-4
• პაკეტი / ქეისი
  TO-247-4