SQJB60EP-T1_GE3

SQJB60EP-T1_GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - მასივები

აღწერა

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

სპეციფიკაციები

  • სერია
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    2 N-Channel (Dual)
  • ფეხის ფუნქცია
    Standard
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    60V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    30A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs
    12mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.5V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    30nC @ 10V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    1600pF @ 25V
  • სიმძლავრე - მაქს
    48W
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PowerPAK® SO-8 Dual

SQJB60EP-T1_GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 18648
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.13000
სამიზნე ფასი:
სულ:1.13000

Მონაცემთა ფურცელი