SIZ200DT-T1-GE3

SIZ200DT-T1-GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - მასივები

აღწერა

MOSFET N-CH DUAL 30V

სპეციფიკაციები

  • სერია
    TrenchFET® Gen IV
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    2 N-Channel (Dual)
  • ფეხის ფუნქცია
    Standard
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    30V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs
    5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.4V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    28nC @ 10V, 30nC @ 10V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
  • სიმძლავრე - მაქს
    4.3W (Ta), 33W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    8-PowerWDFN
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    8-PowerPair® (3.3x3.3)

SIZ200DT-T1-GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 19453
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.08000
სამიზნე ფასი:
სულ:1.08000

Მონაცემთა ფურცელი