SISH407DN-T1-GE3

SISH407DN-T1-GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK

სპეციფიკაციები

  • სერია
    TrenchFET®
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    P-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    20 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    15.4A (Ta), 25A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    1.8V, 4.5V
  • rds on (max) @ id, vgs
    9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id
    1V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    93.8 nC @ 8 V
  • vgs (მაქს.)
    ±8V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    2760 pF @ 10 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    3.6W (Ta), 33W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PowerPAK® 1212-8SH
  • პაკეტი / ქეისი
    PowerPAK® 1212-8SH

SISH407DN-T1-GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 22422
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
0.93000
სამიზნე ფასი:
სულ:0.93000