SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - მასივები

აღწერა

MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

სპეციფიკაციები

  • სერია
    TrenchFET® Gen III
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    2 P-Channel (Dual)
  • ფეხის ფუნქცია
    Standard
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    20V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    6A (Tc)
  • rds on (max) @ id, vgs
    20.1mOhm @ 5A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id
    1V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    42nC @ 10V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    2565pF @ 10V
  • სიმძლავრე - მაქს
    2.6W (Ta), 23W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • პაკეტი / ქეისი
    PowerPAK® 1212-8 Dual
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PowerPAK® 1212-8 Dual

SIS903DN-T1-GE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 20326
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.03000
სამიზნე ფასი:
სულ:1.03000

Მონაცემთა ფურცელი