SIRA52ADP-T1-RE3

SIRA52ADP-T1-RE3

მწარმოებელი

Vishay / Siliconix

პროდუქტის კატეგორია

ტრანზისტორები - ფეტები, მოსფეტები - ერთჯერადი

აღწერა

MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK

სპეციფიკაციები

  • სერია
    TrenchFET® Gen IV
  • პაკეტი
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ნაწილის სტატუსი
    Active
  • ფეხის ტიპი
    N-Channel
  • ტექნოლოგია
    MOSFET (Metal Oxide)
  • გადინება წყაროს ძაბვამდე (vdss)
    40 V
  • მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (id) @ 25°c
    41.6A (Ta), 131A (Tc)
  • წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური rds ჩართული, მინ rds ჩართული)
    4.5V, 10V
  • rds on (max) @ id, vgs
    1.63mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.4V @ 250µA
  • კარიბჭის დატენვა (qg) (მაქს) @ vgs
    100 nC @ 10 V
  • vgs (მაქს.)
    +20V, -16V
  • შეყვანის ტევადობა (ciss) (მაქს) @ vds
    5500 pF @ 20 V
  • ფეხის ფუნქცია
    -
  • დენის გაფრქვევა (მაქს.)
    4.8W (Ta), 48W (Tc)
  • ოპერაციული ტემპერატურა
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • სამონტაჟო ტიპი
    Surface Mount
  • მომწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი
    PowerPAK® SO-8
  • პაკეტი / ქეისი
    PowerPAK® SO-8

SIRA52ADP-T1-RE3 მოითხოვეთ ციტატა

Საწყობში 14226
რაოდენობა:
ერთეულის ფასი (საცნობარო ფასი):
1.50000
სამიზნე ფასი:
სულ:1.50000

Მონაცემთა ფურცელი